APTMC120AM16CD3AG Microchip Technology
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Technische Details APTMC120AM16CD3AG Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC, Power dissipation: 625W, Case: D3, Semiconductor structure: SiC diode/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Topology: MOSFET half-bridge, Pulsed drain current: 262A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 98A, On-state resistance: 20mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| APTMC120AM16CD3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC Power dissipation: 625W Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 262A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 98A On-state resistance: 20mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APTMC120AM16CD3AG | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 |
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| APTMC120AM16CD3AG | Hersteller : Microsemi |
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC |
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| APTMC120AM16CD3AG | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 98A; D3; Idm: 262A; 625W; SiC Power dissipation: 625W Case: D3 Semiconductor structure: SiC diode/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 262A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 98A On-state resistance: 20mΩ |
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