AS1PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division


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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO220AA
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 10.4pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
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Technische Details AS1PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO220AA, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-220AA (SMP), Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Capacitance @ Vr, F: 10.4pF @ 4V, 1MHz, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-220AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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