AS4C16M16S-6TIN Alliance Memory
Hersteller: Alliance Memory
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
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Technische Details AS4C16M16S-6TIN Alliance Memory
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт, Anzahl je Verpackung: 108 Stücke.
Weitere Produktangebote AS4C16M16S-6TIN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| AS4C16M16S-6TIN | Alliance Semiconductor |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Мікросхеми пам'яті |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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AS4C16M16S-6TIN | Alliance Memory, Inc. |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AS4C16M16S-6TIN | Alliance Memory |
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AS4C16M16S-6TIN |
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Hersteller: Alliance Semiconductor
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Мікросхеми пам'яті
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Stück im Wert von UAH
| AS4C16M16S-6TIN |
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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
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| AS4C16M16S-6TIN |
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Hersteller: Alliance Memory
DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM
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