AS4C16M16SA-6BAN Alliance Memory
Hersteller: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp - Tray
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.07 EUR |
| 10+ | 9.9 EUR |
| 250+ | 9.89 EUR |
| 348+ | 8.88 EUR |
| 1044+ | 8.71 EUR |
| 2784+ | 8.63 EUR |
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Technische Details AS4C16M16SA-6BAN Alliance Memory
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDRAM, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit.
Weitere Produktangebote AS4C16M16SA-6BAN nach Preis ab 17.61 EUR bis 69.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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AS4C16M16SA-6BAN | Alliance Memory, Inc. |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGAPackaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
auf Bestellung 6420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AS4C16M16SA-6BAN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit |
auf Bestellung 421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AS4C16M16SA-6BAN | Alliance Memory |
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 348 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AS4C16M16SA-6BAN |
![]() |
Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 6420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.38 EUR |
| 10+ | 20.79 EUR |
| 25+ | 20.16 EUR |
| 50+ | 19.67 EUR |
| 100+ | 19.19 EUR |
| 348+ | 18.34 EUR |
| 696+ | 17.87 EUR |
| 1044+ | 17.61 EUR |
| AS4C16M16SA-6BAN |
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Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 69.15 EUR |
| AS4C16M16SA-6BAN |
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Hersteller: Alliance Memory
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 348 Stücke
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 348 Stücke
verfügbar 3 Stücke:



