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AS4C16M16SA-6BAN

AS4C16M16SA-6BAN Alliance Memory

256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March 2015-1265404.pdf
Hersteller: Alliance Memory
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp - Tray
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Technische Details AS4C16M16SA-6BAN Alliance Memory

Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 256Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 105°C, Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AS4C16M16SA-6BAN AS4C16M16SA-6BAN Alliance Memory, Inc. 256M-AS4C16M16SA-Automotive_v2.0_March-2015.pdf Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 12636 Stücke:
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2+14.35 EUR
10+13.34 EUR
25+12.94 EUR
50+12.64 EUR
100+12.33 EUR
348+11.78 EUR
696+11.5 EUR
1044+11.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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AS4C16M16SA-6BAN AS4C16M16SA-6BAN ALLIANCE MEMORY 3999939.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AS4C16M16SA-6BAN Alliance Memory AS4C16M16SA-6BAN.pdf Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 348 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Part Status: Active
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Memory Interface: Parallel
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Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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AS4C16M16SA-6BAN
Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: Alliance Memory
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 348 Stücke
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