AS4C32M16SB-6TIN ALLIANCE MEMORY
Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details AS4C32M16SB-6TIN ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 512Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote AS4C32M16SB-6TIN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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AS4C32M16SB-6TIN | Alliance Memory, Inc. |
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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AS4C32M16SB-6TIN | Alliance Memory |
DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM |
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AS4C32M16SB-6TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 166MHz Access time: 5ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray |
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| AS4C32M16SB-6TIN |
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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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| AS4C32M16SB-6TIN |
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Hersteller: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
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| AS4C32M16SB-6TIN |
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Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray
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