Technische Details AS4C32M16SB-7BINTR Alliance Memory, Inc.
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 8Mx16bitx4, Operating voltage: 3.3V, Clock frequency: 143MHz, Access time: 5.4ns, Case: TSOP54 II, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel.
Weitere Produktangebote AS4C32M16SB-7BINTR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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AS4C32M16SB-7BINTR | Alliance Memory |
 DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AS4C32M16SB7BINTR | Alliance Memory | SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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AS4C32M16SB-7BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel |
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| AS4C32M16SB-7BINTR |
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Hersteller: Alliance Memory
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
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| AS4C32M16SB7BINTR |
Hersteller: Alliance Memory
SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R
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| AS4C32M16SB-7BINTR |
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Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 143MHz
Access time: 5.4ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel
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