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AS4C4M16SA-6BIN

AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory

Alliance_Memory_64M_AS4C4M16SA_CI_v5_0_October_201-3045386.pdf
Hersteller: Alliance Memory
DRAM SDR, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp, A Die
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Technische Details AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory

Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C4M16SA-6BIN - DRAM, SDRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: SDRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AS4C4M16SA-6BIN AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. Alliance_Memory_64M-AS4C4M16SA-CI_v5.0_October_2018.pdf Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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AS4C4M16SA-6BIN AS4C4M16SA-6BIN ALLIANCE PDAS4C4M16SA-6BIN_ALLIANCE_0001.pdf DRAM memory; 64MbDRAM; 4Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 3V~3,6V; -40°C~85°C; SDRAM 64Mb (4M x 16); AS4C4M16SA-6BINTR; AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. PDAS4C4M16SA-6BIN
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AS4C4M16SA-6BIN AS4C4M16SA-6BIN ALLIANCE MEMORY 3999930.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C4M16SA-6BIN - DRAM, SDRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 353 Stücke:
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AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory AS4C4M16SA-CI_Alliance.pdf Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tвстан = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 348 Stücke
verfügbar 226 Stücke:
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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
Packaging: Tray
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Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
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AS4C4M16SA-6BIN PDAS4C4M16SA-6BIN_ALLIANCE_0001.pdf
AS4C4M16SA-6BIN
Hersteller: ALLIANCE
DRAM memory; 64MbDRAM; 4Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 3V~3,6V; -40°C~85°C; SDRAM 64Mb (4M x 16); AS4C4M16SA-6BINTR; AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. PDAS4C4M16SA-6BIN
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Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C4M16SA-6BIN - DRAM, SDRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
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IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
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Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
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Produktpalette: -
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Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4М х 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85, tвстан = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим:
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