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AS4C512M32MD4V-046BIN

AS4C512M32MD4V-046BIN Alliance Memory

AllianceMemory_8Gb_16Gb_32Gb_LPDDR4X_AS4C512M16MD4V_AS4C1G16MD4V_AS4C512.pdf Hersteller: Alliance Memory
DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP
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Technische Details AS4C512M32MD4V-046BIN Alliance Memory

Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M32MD4V-046BIN - DRAM, LPDDR4X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: LPDDR4X, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 16Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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AS4C512M32MD4V-046BIN AS4C512M32MD4V-046BIN Hersteller : ALLIANCE MEMORY AllianceMemory_8Gb_16Gb_32Gb_LPDDR4X_AS4C512M16MD4V_AS4C1G16MD4V_AS4C512.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C512M32MD4V-046BIN - DRAM, LPDDR4X, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 2.133 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: LPDDR4X
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AS4C512M32MD4V-046BIN Hersteller : Alliance Memory, Inc. AllianceMemory_8Gb_16Gb_32Gb_LPDDR4X_AS4C512M16MD4V_AS4C512M32MD4V_AS4C1G32MD4V.pdf Description: IC DRAM 16GBIT LVSTLE 200FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 4.266 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-FBGA (10x15)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTLE_06
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 512M x 32
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