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AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN Alliance Memory

20171228_AllianceMemory_128M_LPSDRAM_AS4C8M16MSA_6BINTR_rev1.0_Dec2017.pdf
Hersteller: Alliance Memory
DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT
auf Bestellung 262 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+10.42 EUR
10+9.72 EUR
25+9.28 EUR
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Technische Details AS4C8M16MSA-6BIN Alliance Memory

Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C8M16MSA-6BIN - DRAM, Mobile SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: Mobile SDRAM, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 54Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AS4C8M16MSA-6BIN AS4C8M16MSA-6BIN ALLIANCE MEMORY 20171228_AllianceMemory_128M_LPSDRAM_AS4C8M16MSA-6BINTR_rev1.0_Dec2017.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C8M16MSA-6BIN - DRAM, Mobile SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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AS4C8M16MSA-6BIN 20171228_AllianceMemory_128M_LPSDRAM_AS4C8M16MSA-6BINTR_rev1.0_Dec2017.pdf
AS4C8M16MSA-6BIN
Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C8M16MSA-6BIN - DRAM, Mobile SDRAM, 128 Mbit, 8M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile SDRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
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