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AS6C2008-55BINTR Alliance Memory, Inc.


AS6C2008%20feb%202007.pdf
Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 8
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Technische Details AS6C2008-55BINTR Alliance Memory, Inc.

Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 8, Access Time: 55 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8), Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 2Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 36-TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AS6C2008-55BINTR AS6C2008-55BINTR Alliance Memory AllianceMemory_2M_LPSRAM_AS6C2008_V1.1_May2021.pdf SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
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AS6C2008-55BINTR AllianceMemory_2M_LPSRAM_AS6C2008_V1.1_May2021.pdf
Hersteller: Alliance Memory
SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
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