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AS6C2008A-55TIN

AS6C2008A-55TIN ALLIANCE MEMORY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1CFE7987961BBF1A704005056AB0C4F&compId=AS6C2008A.PDF?ci_sign=5141b6ddacb3579862f5bc5707d1978b772085c7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBCD3BDE311A0E0DC&compId=Alliance_Selection_Guide%20_Print2025.pdf?ci_sign=34f5d2d34cac1150f1f21237b486cf42d4e4f4fb Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
20+3.75 EUR
21+3.55 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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Technische Details AS6C2008A-55TIN ALLIANCE MEMORY

Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I, Packaging: Tray, Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 32-TSOP I, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 256K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AS6C2008A-55TIN AS6C2008A-55TIN Hersteller : ALLIANCE MEMORY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1CFE7987961BBF1A704005056AB0C4F&compId=AS6C2008A.PDF?ci_sign=5141b6ddacb3579862f5bc5707d1978b772085c7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBCD3BDE311A0E0DC&compId=Alliance_Selection_Guide%20_Print2025.pdf?ci_sign=34f5d2d34cac1150f1f21237b486cf42d4e4f4fb Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
20+3.75 EUR
21+3.55 EUR
100+3.45 EUR
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AS6C2008A-55TIN AS6C2008A-55TIN Hersteller : Alliance Memory AS6C2008A-1288501.pdf SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.37 EUR
10+5.77 EUR
100+4.98 EUR
250+4.93 EUR
468+4.80 EUR
1092+4.72 EUR
2652+4.66 EUR
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AS6C2008A-55TIN AS6C2008A-55TIN Hersteller : Alliance Memory, Inc. AS6C2008A.pdf Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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