AS6C2016-55BIN Alliance Semiconductor
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Technische Details AS6C2016-55BIN Alliance Semiconductor
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 128kx16bit, Operating voltage: 2.7...5.5V, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Integrated circuit features: LPC.
Weitere Produktangebote AS6C2016-55BIN
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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AS6C2016-55BIN | Alliance Memory, Inc. |
 Description: IC SRAM 128K X 16 WIDE 48-TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 480 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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AS6C2016-55BIN | Alliance Memory |
SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray |
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Mindestbestellmenge: 480 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AS6C201655BIN | Alliance Memory | 2Mb, LP SRAM, 128K x 16, 27 - 55V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp |
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AS6C2016-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Operating voltage: 2.7...5.5V Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Integrated circuit features: LPC |
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| AS6C2016-55BIN |
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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
Description: IC SRAM 128K X 16 WIDE 48-TFBGA
Description: IC SRAM 128K X 16 WIDE 48-TFBGA
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| AS6C2016-55BIN |
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Hersteller: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray
SRAM LP SRAM, 2Mb, 128 x 16, 2.7 - 5.5V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray
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| AS6C201655BIN |
Hersteller: Alliance Memory
2Mb, LP SRAM, 128K x 16, 27 - 55V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp
2Mb, LP SRAM, 128K x 16, 27 - 55V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp
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| AS6C2016-55BIN |
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Hersteller: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Operating voltage: 2.7...5.5V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
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