AS7C351232-10BINTR ALLIANCE MEMORY
Hersteller: ALLIANCE MEMORYCategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90
Mounting: SMD
Operating voltage: 3.3V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Access time: 10ns
Integrated circuit features: fast
Memory: 16Mb SRAM
Case: TFBGA90
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Technische Details AS7C351232-10BINTR ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90, Mounting: SMD, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: asynchronous; SRAM, Access time: 10ns, Integrated circuit features: fast, Memory: 16Mb SRAM, Case: TFBGA90, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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AS7C351232-10BINTR | Hersteller : Alliance Memory |
SRAM 16M, 3.3V, 10ns FAST 512K X 32 Asyn SRAM |
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| AS7C351232-10BINTR | Hersteller : ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 3.3V; 10ns; TFBGA90 Mounting: SMD Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Access time: 10ns Integrated circuit features: fast Memory: 16Mb SRAM Case: TFBGA90 |
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