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Technische Details ATP101-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 25, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 30, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6, Verlustleistung: 30, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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ATP101-TL-H | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 25A ATPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ATP101-TL-H | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: ATPAK Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ATP101-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 25 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 30 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ATP101-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage Verlustleistung: 30 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 Qualifikation: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ATP101-TL-H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 25A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ATP101-TL-H |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
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| ATP101-TL-H |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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| ATP101-TL-H |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ATP101-TL-H |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 30
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - ATP101-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.023 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 30
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ATP101-TL-H |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 25A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 25A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH