| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 3000+ | 1.11 EUR |
| 6000+ | 1.06 EUR |
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Technische Details ATP103-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ATP103-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 55, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 50, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 50, Bauform - Transistor: ATPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote ATP103-TL-H
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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ATP103-TL-H | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 55A ATPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Supplier Device Package: ATPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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ATP103-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP103-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 55 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 50 Bauform - Transistor: ATPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ATP103-TL-H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ATP103-TL-H |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V
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| ATP103-TL-H |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP103-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - ATP103-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: ATPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| ATP103-TL-H |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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