ATP106-TL-H ON Semiconductor

Description: ONSEMI - ATP106-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.019 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 30, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 40, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6, Verlustleistung: 40, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019, SVHC: Lead (19-Jan-2021).