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ATP304-TL-H

ATP304-TL-H ON Semiconductor

atp304d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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Technische Details ATP304-TL-H ON Semiconductor

Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 90W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

Weitere Produktangebote ATP304-TL-H nach Preis ab 3.49 EUR bis 13.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ATP304-TL-H ATP304-TL-H ON Semiconductor atp304d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H onsemi ATP304-D.PDF Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H ON Semiconductor atp304d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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100+5.78 EUR
300+5.66 EUR
500+5.49 EUR
800+5.32 EUR
1500+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 5380 Stücke:
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26+6.7 EUR
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32+5.25 EUR
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500+4.28 EUR
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H onsemi ATP304-D.PDF MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H onsemi ATP304-D.PDF Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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ATP304-TL-H ATP304-TL-H ONSEMI 2337917.pdf Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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ATP304-TL-H ONN ATP304-D.PDF
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ATP304-TL-H
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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ATP304-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
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ATP304-TL-H
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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ATP304-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
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Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
auf Bestellung 2278 Stücke:
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250+4.58 EUR
500+4.28 EUR
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ATP304-TL-H
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Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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19+9.37 EUR
27+6.34 EUR
100+3.82 EUR
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Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
auf Bestellung 279 Stücke:
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ATP304-TL-H
Hersteller: onsemi
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 51375 Stücke:
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10+7.08 EUR
100+5.11 EUR
500+4.86 EUR
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ATP304-TL-H ATP304-D.PDF
ATP304-TL-H
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7699 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+10.77 EUR
10+7.21 EUR
100+5.2 EUR
500+4.34 EUR
1000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ATP304-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 5245 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
19+13.42 EUR
50+8.35 EUR
100+5.87 EUR
500+5.51 EUR
1500+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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