ATP304-TL-H ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6.3 EUR |
| 500+ | 6.15 EUR |
| 1500+ | 6.05 EUR |
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Technische Details ATP304-TL-H ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, Verlustleistung: 90W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.
Weitere Produktangebote ATP304-TL-H nach Preis ab 3.82 EUR bis 13.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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ATP304-TL-H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ATP304-TL-H | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ATP304-TL-H | onsemi |
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES |
auf Bestellung 22697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ATP304-TL-H | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ATPAK Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: ATPAK (2 leads+tab) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 3155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ATP304-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V Verlustleistung: 90W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: ATPAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 5380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ATP304-TL-H | ONN |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ATP304-TL-H |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 8.97 EUR |
| 28+ | 5.95 EUR |
| 100+ | 4.36 EUR |
| 250+ | 3.82 EUR |
| ATP304-TL-H |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 8.97 EUR |
| 28+ | 6.18 EUR |
| 100+ | 4.59 EUR |
| 250+ | 4.14 EUR |
| ATP304-TL-H |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
MOSFETs PCH 4.5V DRIVE SERIES
auf Bestellung 22697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.47 EUR |
| 10+ | 6.83 EUR |
| 100+ | 5.26 EUR |
| 500+ | 5.21 EUR |
| 1000+ | 4.86 EUR |
| ATP304-TL-H |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ATPAK
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 10.94 EUR |
| 10+ | 7.33 EUR |
| 100+ | 5.28 EUR |
| 500+ | 5.22 EUR |
| ATP304-TL-H |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: ONSEMI - ATP304-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6500 µohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 5380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.52 EUR |
| 50+ | 8.4 EUR |
| 100+ | 5.87 EUR |
| 500+ | 5.55 EUR |
| 1500+ | 5.44 EUR |
| ATP304-TL-H |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
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