AU1FK-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division


au1fd-au1fm.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details AU1FK-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz, Technology: Avalanche, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-219AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AU1FK-M3/H AU1FK-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1fd-au1fm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO219AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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AU1FK-M3/H AU1FK-M3/H Vishay General Semiconductor au1fd-au1fm.pdf Rectifiers 1A 800V AVALANCHE ULTRAFAST
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Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
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