AUIRF1010Z Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 310+ | 2.11 EUR |
| 500+ | 1.99 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
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Technische Details AUIRF1010Z Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF1010Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55, Dauer-Drainstrom Id: 75, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung Pd: 140, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, Verlustleistung: 140, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote AUIRF1010Z nach Preis ab 2.77 EUR bis 2.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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AUIRF1010Z | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 12268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRF1010Z | Infineon / IR |
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AUIRF1010Z |
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Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 192+ | 2.77 EUR |
| AUIRF1010Z |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)