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AUIRF1404ZSTRL

AUIRF1404ZSTRL Infineon Technologies

4566625167375605auirf1404z.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details AUIRF1404ZSTRL Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0027 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL Hersteller : International Rectifier IRSDS10902-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL Hersteller : Infineon Technologies auirf1404z-1225966.pdf MOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
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AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL Hersteller : INFINEON 2332215.pdf Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0027 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 464 Stücke:
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AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL Hersteller : INFINEON 2332215.pdf Description: INFINEON - AUIRF1404ZSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0027 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
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