AUIRF2804S-7P Infineon Technologies
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 7.54 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details AUIRF2804S-7P Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote AUIRF2804S-7P nach Preis ab 7.7 EUR bis 20.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRF2804S-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF2804S-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms |
auf Bestellung 8400 Stücke: Lieferzeit 429-433 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF2804S-7P Produktcode: 168238 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
 |
AUIRF2804S-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
AUIRF2804S-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |