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AUIRF4905STRL

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Produktcode: 178037
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AUIRF4905STRL AUIRF4905STRL Infineon Technologies auirf4905s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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AUIRF4905STRL AUIRF4905STRL Infineon Technologies auirf4905s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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AUIRF4905STRL AUIRF4905STRL Infineon Technologies auirf4905s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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AUIRF4905STRL AUIRF4905STRL Infineon Technologies auirf4905s.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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AUIRF4905STRL AUIRF4905STRL Infineon Technologies auirf4905s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acd0e513c0 Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
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AUIRF4905STRL AUIRF4905STRL INFINEON INFN-S-A0002298946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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AUIRF4905STRL AUIRF4905STRL INFINEON INFN-S-A0002298946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 42A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
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Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
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AUIRF4905STRL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
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Produktpalette: HEXFET Series
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
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