| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35.16 EUR |
| 10+ | 24.36 EUR |
| 100+ | 20.29 EUR |
| 400+ | 18.58 EUR |
| 1200+ | 17.14 EUR |
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Technische Details AUIRFP4568 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 517W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm.
Weitere Produktangebote AUIRFP4568 nach Preis ab 20.82 EUR bis 39.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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AUIRFP4568 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm |
auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFP4568 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Power dissipation: 517W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 684A Application: automotive industry |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| AUIRFP4568 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
Description: INFINEON - AUIRFP4568 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
auf Bestellung 936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 39.33 EUR |
| 8+ | 32.17 EUR |
| 10+ | 25.66 EUR |
| 50+ | 25.38 EUR |
| 100+ | 21.37 EUR |
| 250+ | 20.82 EUR |
| AUIRFP4568 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Application: automotive industry
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