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AUIRFR5410TRL

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Produktcode: 198092
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Hersteller : Infineon Technologies auirfr5410.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 589 Stücke:
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226+2.4 EUR
500+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 226
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AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Hersteller : Infineon Technologies auirfr5410.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+4.83 EUR
43+3.27 EUR
100+2.3 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Hersteller : Infineon Technologies auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3
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AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002298902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3053 Stücke:
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AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002298902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFR5410TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AUIRFR5410TRL Hersteller : Infineon auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Hersteller : Infineon Technologies auirfr5410.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5e3511499 Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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AUIRFR5410TRL AUIRFR5410TRL Hersteller : Infineon Technologies auirfr5410.pdf MOSFETs AUTO -100V 1 P-CH HEXFET 205mOhms
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