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AUIRFS3107TRL

AUIRFS3107TRL Infineon Technologies

auirfs3107.pdffileid5546d462533600a4015355b660f414b2.pdffileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
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Technische Details AUIRFS3107TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL Infineon Technologies auirfs3107.pdffileid5546d462533600a4015355b660f414b2.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 63 Stücke:
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AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL Infineon Technologies auirfs3107.pdffileid5546d462533600a4015355b660f414b2.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 640 Stücke:
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AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL Infineon Technologies Infineon_AUIRFS3107_DS_v01_02_EN-1225941.pdf MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET
auf Bestellung 311 Stücke:
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10+10.95 EUR
25+10.52 EUR
100+9.17 EUR
250+9.03 EUR
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AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL Infineon Technologies auirfs3107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b660f414b2 Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 766 Stücke:
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2+14.03 EUR
10+9.54 EUR
100+7.01 EUR
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AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL INFINEON auirfs3107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b660f414b2 Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.24 EUR
18+13.07 EUR
22+10.2 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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AUIRFS3107TRL AUIRFS3107TRL INFINEON auirfs3107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b660f414b2 Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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AUIRFS3107TRL
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
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Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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AUIRFS3107TRL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AUIRFS3107TRL
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS3107TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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