AUIRFS4310ZTRL International Rectifier
Hersteller: International Rectifier
Description: AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
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| 93+ | 5.01 EUR |
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Technische Details AUIRFS4310ZTRL International Rectifier
Description: INFINEON - AUIRFS4310ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote AUIRFS4310ZTRL nach Preis ab 3.84 EUR bis 5.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 15260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 14300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS4310ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS4310ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 72497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 243200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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AUIRFS4310ZTRL | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |



