AUIRFS8409-7P Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
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| Anzahl | Preis |
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| 40+ | 14.32 EUR |
| 100+ | 13.25 EUR |
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Technische Details AUIRFS8409-7P Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote AUIRFS8409-7P nach Preis ab 11.07 EUR bis 20.80 EUR
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AUIRFS8409-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
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AUIRFS8409-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS8409-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
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AUIRFS8409-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A |
auf Bestellung 6880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFS8409-7P | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFS8409-7P | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 5048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AUIRFS8409-7P Produktcode: 116207
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