AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies
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Technische Details AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies
Description: AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Supplier Device Package: D2PAK, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns, Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off), Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 34 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A, Power - Max: 100 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AUIRG4BC30S-S | Hersteller : Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT |
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AUIRG4BC30S-S | Hersteller : International Rectifier |
Description: AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W |
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AUIRG4BC30S-S | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
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