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AUIRLR3636TRL

AUIRLR3636TRL Infineon Technologies

3677914753014789auirlr3636.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details AUIRLR3636TRL Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

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AUIRLR3636TRL AUIRLR3636TRL Hersteller : Infineon Technologies 3677914753014789auirlr3636.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AUIRLR3636TRL AUIRLR3636TRL Hersteller : Infineon Technologies auirlr3636-1297930.pdf MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
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