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B10G3438N55DZ

B10G3438N55DZ Ampleon

B10G3438N55D.pdf
Hersteller: Ampleon
RF MOSFET Transistors B10G3438N55D/PQFN/REELDP
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Technische Details B10G3438N55DZ Ampleon

Description: RF MOSFET LDMOS 28V, Packaging: Tape & Reel (TR), Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz, Power - Output: 47.5dBm, Gain: 34.2dB, Technology: LDMOS, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 75 mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
B10G3438N55DZ Ampleon USA Inc. B10G3438N55D.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 28V
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 47.5dBm
Gain: 34.2dB
Technology: LDMOS
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 75 mA
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Hersteller: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency: 3.4GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 47.5dBm
Gain: 34.2dB
Technology: LDMOS
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