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B10G3741N55DZ

B10G3741N55DZ Ampleon USA Inc.

B10G3741N55D.pdf
Hersteller: Ampleon USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 20QFN
Technology: LDMOS
Gain: 34.8dB
Power - Output: 47.6dBm
Frequency: 3.7GHz ~ 4.1GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1.4µA
Package / Case: 20-QFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8)
auf Bestellung 500 Stücke:
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500+42.67 EUR
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Technische Details B10G3741N55DZ Ampleon USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 20QFN, Technology: LDMOS, Gain: 34.8dB, Power - Output: 47.6dBm, Frequency: 3.7GHz ~ 4.1GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 1.4µA, Package / Case: 20-QFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
B10G3741N55DZ B10G3741N55DZ Ampleon B10G3741N55D-3537828.pdf RF MOSFET Transistors B10G3741N55D/PQFN/REELDP
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250+46.65 EUR
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B10G3741N55DZ B10G3741N55DZ Ampleon USA Inc. B10G3741N55D.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 20QFN
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8)
Technology: LDMOS
Gain: 34.8dB
Power - Output: 47.6dBm
Frequency: 3.7GHz ~ 4.1GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1.4µA
Package / Case: 20-QFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+51.42 EUR
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Description: RF MOSFET LDMOS 20QFN
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8)
Technology: LDMOS
Gain: 34.8dB
Power - Output: 47.6dBm
Frequency: 3.7GHz ~ 4.1GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1.4µA
Package / Case: 20-QFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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