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B82422A3470J100

B82422A3470J100 EPCOS / TDK

b82422a_100.pdf
Hersteller: EPCOS / TDK
RF Inductors - SMD SMT-INDUCTOR 1210 0.047UH 5%, AEC-Q200
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Technische Details B82422A3470J100 EPCOS / TDK

Description: EPCOS - B82422A3470J100 - Drahtgewickelte Induktivität, AEC-Q200, 47 nH, 0.19 ohm, 1.35 GHz, 510 mA, 1210 [Metrisch 3225], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 47nH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 5%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225], DC-Widerstand, max.: 0.19ohm, Bauform - Induktivität: 1210 [Metrisch 3225], Eigenresonanzfrequenz: 1.35GHz, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Ferrit, DC-Nennstrom: 510mA, Produktlänge: 3.2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: B82422A SIMID Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2.5mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
B82422A3470J100 B82422A3470J100 EPCOS TDKC-S-A0008969887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: EPCOS - B82422A3470J100 - Drahtgewickelte Induktivität, AEC-Q200, 47 nH, 0.19 ohm, 1.35 GHz, 510 mA, 1210 [Metrisch 3225]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 47nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225]
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
Bauform - Induktivität: 1210 [Metrisch 3225]
Eigenresonanzfrequenz: 1.35GHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 510mA
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: B82422A SIMID Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 980 Stücke:
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B82422A3470J100 B82422A3470J100 EPCOS TDKC-S-A0008969887-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: EPCOS - B82422A3470J100 - Drahtgewickelte Induktivität, AEC-Q200, 47 nH, 0.19 ohm, 1.35 GHz, 510 mA, 1210 [Metrisch 3225]
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Induktivitätstoleranz: ± 5%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1210 [Metrisch 3225]
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Bauform - Induktivität: 1210 [Metrisch 3225]
Eigenresonanzfrequenz: 1.35GHz
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Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 510mA
Produktlänge: 3.2mm
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Produktpalette: B82422A SIMID Series
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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B82422A3470J100
Hersteller: EPCOS
Description: EPCOS - B82422A3470J100 - Drahtgewickelte Induktivität, AEC-Q200, 47 nH, 0.19 ohm, 1.35 GHz, 510 mA, 1210 [Metrisch 3225]
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Produktlänge: 3.2mm
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Produktpalette: B82422A SIMID Series
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Produktbreite: 2.5mm
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B82422A3470J100
Hersteller: EPCOS
Description: EPCOS - B82422A3470J100 - Drahtgewickelte Induktivität, AEC-Q200, 47 nH, 0.19 ohm, 1.35 GHz, 510 mA, 1210 [Metrisch 3225]
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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