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BAS116GW-QX

BAS116GW-QX NEXPERIA


BAS116GW-Q.pdf Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS116GW-QX - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 800 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 800ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details BAS116GW-QX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BAS116GW-QX - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 800 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-123, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 800ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 85V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BAS116GW-QX BAS116GW-QX Hersteller : NEXPERIA BAS116GW-Q.pdf Description: NEXPERIA - BAS116GW-QX - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 800 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BAS116GW-QX BAS116GW-QX Hersteller : Nexperia USA Inc. Description: BAS116GW-Q/SOD123/SOD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BAS116GW-QX BAS116GW-QX Hersteller : Nexperia Small Signal Switching Diodes Low leakage switching diode
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