BAS116LSYL Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STD 85V 325MA DFN1006BD2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 325mA
Supplier Device Package: DFN1006BD-2
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
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Technische Details BAS116LSYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN1006BD, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 85V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BAS116LSYL nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BAS116LSYL | Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE STD 85V 325MA DFN1006BD2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-882 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 325mA Supplier Device Package: DFN1006BD-2 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V |
auf Bestellung 49350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BAS116LSYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS116LSYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BAS116LSYL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE STD 85V 325MA DFN1006BD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 325mA
Supplier Device Package: DFN1006BD-2
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Description: DIODE STD 85V 325MA DFN1006BD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 325mA
Supplier Device Package: DFN1006BD-2
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 85 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 0.42 EUR |
| 82+ | 0.25 EUR |
| 115+ | 0.18 EUR |
| 133+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| BAS116LSYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
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Bauform - Diode: DFN1006BD
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 370+ | 0.68 EUR |
| 599+ | 0.39 EUR |
| 944+ | 0.23 EUR |
| 1289+ | 0.17 EUR |
| 1645+ | 0.13 EUR |
| 5000+ | 0.11 EUR |
| BAS116LSYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
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Bauform - Diode: DFN1006BD
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS116LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 325 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
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Diodenkonfiguration: Einfach
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Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 325mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.68 EUR |
| 599+ | 0.39 EUR |
| 944+ | 0.23 EUR |
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| 1645+ | 0.13 EUR |
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