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BAS1603WE6327HTSA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Switching Si 85V 0.25A 2-Pin SOD-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BAS1603WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE STD 80V 250MA PGSOD3233D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOD323-3D, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
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Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
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Small Signal Switching Diodes Silicon Switch Diode
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5+0.81 EUR
10+0.68 EUR
100+0.62 EUR
500+0.26 EUR
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