BAS16HLPQ-7B DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS16HLPQ-7B - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details BAS16HLPQ-7B DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS16HLPQ-7B - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: X1-DFN1006, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BAS16HLPQ-7B
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BAS16HLPQ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAS16HLPQ-7B - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAS16HLPQ-7B | Diodes Zetex |
Diode Small Signal Switching 100V 0.215A 2-Pin X1-DFN T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAS16HLPQ-7B | Diodes Incorporated |
Description: DIODE STD 100V 215MA X1DFN10062 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Qualification: AEC-Q101 |
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAS16HLPQ-7B | Diodes Incorporated |
Description: DIODE STD 100V 215MA X1DFN10062 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 215mA Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V Qualification: AEC-Q101 |
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BAS16HLPQ-7B | Diodes Incorporated |
Small Signal Switching Diodes Fast Switching Diode |
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BAS16HLPQ-7B | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 4ns; X1-DFN1006-2; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 0.215A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: X1-DFN1006-2 Max. forward voltage: 1.25V Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: small signal |
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| BAS16HLPQ-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS16HLPQ-7B - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BAS16HLPQ-7B - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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| BAS16HLPQ-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Diode Small Signal Switching 100V 0.215A 2-Pin X1-DFN T/R Automotive AEC-Q101
Diode Small Signal Switching 100V 0.215A 2-Pin X1-DFN T/R Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS16HLPQ-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: DIODE STD 100V 215MA X1DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STD 100V 215MA X1DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS16HLPQ-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: DIODE STD 100V 215MA X1DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STD 100V 215MA X1DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS16HLPQ-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Small Signal Switching Diodes Fast Switching Diode
Small Signal Switching Diodes Fast Switching Diode
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS16HLPQ-7B |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 4ns; X1-DFN1006-2; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: X1-DFN1006-2
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.215A; 4ns; X1-DFN1006-2; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: X1-DFN1006-2
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH