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BAS16LD,315

BAS16LD,315 Nexperia


bas16ld.pdf Hersteller: Nexperia
Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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Technische Details BAS16LD,315 Nexperia

Description: DIODE GP 100V 215MA DFN1006D-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Supplier Device Package: DFN1006D-2, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : NEXPERIA BAS16LD.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOD882D; Ufmax: 1.25V; 0.25W
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD882D
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.5µA
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : NEXPERIA BAS16LD.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 215mA; 4ns; SOD882D; Ufmax: 1.25V; 0.25W
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOD882D
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.5µA
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BAS16LD.pdf Description: DIODE GP 100V 215MA DFN1006D-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: DFN1006D-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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6000+ 0.28 EUR
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia BAS16LD-1545769.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching BAS16LD/SOD882D/XSON2
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20000+ 0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 90
BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BAS16LD.pdf Description: DIODE GP 100V 215MA DFN1006D-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: DFN1006D-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Qualification: AEC-Q101
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62+ 0.42 EUR
127+ 0.21 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
2000+ 0.1 EUR
5000+ 0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 42
BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002883683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAS16LD,315 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 45534 Stücke:
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 1322 Stücke:
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002883683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BAS16LD,315 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 45534 Stücke:
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : NEXPERIA bas16ld.pdf Rectifier Diode Switching 100V 0.1A 4ns Automotive 2-Pin DFN-D T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BAS16LD,315 BAS16LD,315 Hersteller : Nexperia bas16ld.pdf Diode Switching 100V 0.215A 2-Pin DFN-D T/R
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