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BAS21_R1_00001

BAS21_R1_00001 PanJit

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Hersteller: PanJit
Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BAS21_R1_00001 PanJit

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2.5A, Type of diode: switching, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 250V, Load current: 0.2A, Reverse recovery time: 50ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: fast switching, Case: SOT23, Max. forward voltage: 1V, Max. forward impulse current: 2.5A, Leakage current: 1µA, Kind of package: reel; tape.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BAS21_R1_00001 BAS21_R1_00001 Panjit International Inc. BAS16_SERIES.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT23
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BAS21_R1_00001 BAS21_R1_00001 Panjit 6417118D634815337204EEC3C7161103BA083FDC06249E9705D3E9879EFBC661.pdf Small Signal Switching Diodes 250V,Small Signal Switching Diodes,SOT-23,2.5A
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BAS21_R1_00001 BAS21_R1_00001 PanJit BAS16_SERIES.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2.5A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
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BAS21_R1_00001 BAS21_R1_00001 PanJit bas16.pdf Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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BAS21_R1_00001 PanJit BAS16_SERIES.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R
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BAS21_R1_00001 PanJit BAS16_SERIES.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching 250V 0.2A 50ns 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT23
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Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2.5A
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
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