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BAS21E6327HTSA1

BAS21E6327HTSA1 Infineon Technologies

bas21series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141bed353f040f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 93000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.099 EUR
6000+0.091 EUR
9000+0.076 EUR
30000+0.074 EUR
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Technische Details BAS21E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Part Status: Last Time Buy, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 Infineon Technologies infineonbas21seriesdsv0101en.pdf Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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9000+0.11 EUR
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BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 Infineon Technologies infineonbas21seriesdsv0101en.pdf Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
363+0.2 EUR
386+0.19 EUR
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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30+0.6 EUR
44+0.4 EUR
100+0.2 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.11 EUR
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BAS21E6327HTSA1 BAS21E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BAS21SERIES_DS_v01_01_en.pdf Small Signal Switching Diodes AF DIODE 250V 0.25A
auf Bestellung 82 Stücke:
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100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
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Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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