BAS21E6433HTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDiode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BAS21E6433HTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V.
Weitere Produktangebote BAS21E6433HTMA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BAS21E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAS21E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching Si 250V 0.25A 50ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BAS21E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon |
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BAS21E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 250V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BAS21E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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| BAS21E6433HTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode |
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