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Technische Details BAS21LLYL Nexperia
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DFN1006, Durchlassstoßstrom: 9A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 250V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BAS21LLYL nach Preis ab 0.067 EUR bis 228.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BAS21LLYL | Hersteller : Nexperia |
 Small Signal Switching Diodes DIODE-SS 250V 330MA |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
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BAS21LLYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE STD 200V 330MA DFN1006D2 Packaging: Bulk Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 330mA Supplier Device Package: DFN1006D-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
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BAS21LLYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21LLYL | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAS21LLYL | Hersteller : NEXPERIA |
Rectifier Diode Switching 250V 0.33A 50ns Automotive 2-Pin DFN T/R |
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BAS21LLYL | Hersteller : Nexperia |
Diode Switching 250V 0.33A 2-Pin DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BAS21LLYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE STD 200V 330MA DFN1006D2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 330mA Supplier Device Package: DFN1006D-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BAS21LLYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE STD 200V 330MA DFN1006D2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 330mA Supplier Device Package: DFN1006D-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BAS21LLYL | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 250V; 330mA; 50ns; DFN1006-2; Ufmax: 1.25V Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 330mA Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Case: DFN1006-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 9A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.62W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching |
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