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BAS28WH6327XTSA1

BAS28WH6327XTSA1 Infineon Technologies

bas28series.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Diode Switching Si 85V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BAS28WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT34343, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC), Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bas28series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0848da041a Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT34343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
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BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1.25V
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
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BAS28WH6327XTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS10817-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BAS28WH6327XTSA1 - BAS28 GENERAL PURPOSE HIGH SPEED SWITCH
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bas28series.pdf Diode Switching Si 85V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101
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BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bas28series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c0848da041a Description: DIODE ARR GP 80V 200MA SOT34343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
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BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BAS28SERIES_DS_v01_01_en-1730989.pdf Small Signal Switching Diodes AF DIGITAL TRANSISTOR
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