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BAS31,215

BAS31,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Diode Switching 110V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BAS31,215 Nexperia

Description: DIODE ARR AVAL 90V 250MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Avalanche, Diode Configuration: 1 Pair Series Connection, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC), Supplier Device Package: TO-236AB, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BAS31,215 BAS31,215 Nexperia bas293135.pdf Diode Switching 110V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BAS31,215 BAS31,215 Nexperia USA Inc. BAS29_31_35.pdf Description: DIODE ARR AVAL 90V 250MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V
Qualification: AEC-Q100
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BAS31,215 BAS31,215 Nexperia BAS29_31_35.pdf Small Signal Switching Diodes BAS31/SOT23/TO-236AB
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BAS31,215 BAS31,215 NEXPERIA BAS29_31_35.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 110V; 150mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 110V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 10A
Kind of package: reel; tape
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BAS31,215 NXP/Nexperia/We-En BAS29_31_35.pdf Випрямний діод SMD, Io, A = 0,15, Uзвор, В = 90, Uf (max), В = 1, If, А = 0,6, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 35, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+155, Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 50, I, мкА @ Ur, В = 100,... Діоди Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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Description: DIODE ARR AVAL 90V 250MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA (DC)
Supplier Device Package: TO-236AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V
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Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 110V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 10A
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Випрямний діод SMD, Io, A = 0,15, Uзвор, В = 90, Uf (max), В = 1, If, А = 0,6, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 35, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+155, Час станд. відн., (нс)/струм, мА = 50, I, мкА @ Ur, В = 100,... Діоди Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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