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BAS316

BAS316 NXP

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Hersteller: NXP
250mA; 100V; packaging: Tape/Reel BAS316,115 BAS316,135 BAS316 SOD323 NXP switching diode DIBAS316
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Technische Details BAS316 NXP

Description: DIODE STANDARD 100V 250MA SOD323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: SOD-323, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BAS316 BAS316 HXY MOSFET DIBAS316_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf 250mA; 75V; 4ns; BAS316 SOD323 HXY MOSFET switching diode DIBAS316 HXY
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BAS316 BAS316 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. BAS316%20SOD-323.PDF Description: 100V 1.25V 4NS 150MA SOD-323
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BAS316 Kingtronics BAS316_Kingtronics.pdf Імпульсний діод SMD, Uзвор, В = 100, Iо, A = 0,15, Тексп, °C = -55...+150,... Діоди Корпус: SOD-323 Од. вим: шт
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BAS316 BAS316 AEL info-dibas16ht1g.pdf 0,2A; 75V; <6ns packaging: tape&reel BAS16HT1G SOD323 switching diode DIBAS16HT1G
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BAS316 BAS316 Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. BAS316%20SOD-323.PDF Description: 100V 1.25V 4NS 150MA SOD-323
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BAS316 BAS316 HY Electronic (Cayman) Limited BAS316%20Rev-0.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 250MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
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381+0.055 EUR
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BAS316 DIBAS316_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
BAS316
Hersteller: HXY MOSFET
250mA; 75V; 4ns; BAS316 SOD323 HXY MOSFET switching diode DIBAS316 HXY
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BAS316 BAS316%20SOD-323.PDF
BAS316
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 100V 1.25V 4NS 150MA SOD-323
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Hersteller: Kingtronics
Імпульсний діод SMD, Uзвор, В = 100, Iо, A = 0,15, Тексп, °C = -55...+150,... Діоди Корпус: SOD-323 Од. вим: шт
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BAS316
Hersteller: AEL
0,2A; 75V; <6ns packaging: tape&reel BAS16HT1G SOD323 switching diode DIBAS16HT1G
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.038 EUR
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BAS316 BAS316%20SOD-323.PDF
BAS316
Hersteller: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: 100V 1.25V 4NS 150MA SOD-323
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Description: DIODE STANDARD 100V 250MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
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317+0.067 EUR
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