BAT1502LSE6433XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
Power Dissipation (Max): 100 mW
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.75 EUR |
| 40+ | 0.54 EUR |
| 45+ | 0.48 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
| 250+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| 2500+ | 0.33 EUR |
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Technische Details BAT1502LSE6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 0201 (0603 Metric), Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz, Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 4V, Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3, Part Status: Active, Current - Max: 110 mA, Power Dissipation (Max): 100 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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BAT1502LSE6433XTMA1 | Infineon Technologies |
Silicon RF Schottky Diode Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 70000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BAT1502LSE6433XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Silicon RF Schottky Diode Automotive AEC-Q101
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