BAT1502LSE6433XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BAT1502LSE6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0201 (0603 Metric), Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz, Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 4V, Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3, Part Status: Active, Current - Max: 110 mA, Power Dissipation (Max): 100 mW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BAT1502LSE6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 4V Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3 Part Status: Active Current - Max: 110 mA Power Dissipation (Max): 100 mW |
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| BAT1502LSE6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon RF Schottky Diode |
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BAT1502LSE6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon RF Schottky Diode Automotive AEC-Q101 |
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BAT1502LSE6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTT 4V 110MA TSSLP-2-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 4V Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3 Part Status: Active Current - Max: 110 mA Power Dissipation (Max): 100 mW |
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