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BAT17E6327HTSA1

BAT17E6327HTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
RF Diode Schottky 4V 150mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BAT17E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz, Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 4V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Max: 130 mA, Power Dissipation (Max): 150 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BAT17E6327HTSA1 BAT17E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAT17-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017efcca516d0770 Description: DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
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BAT17E6327HTSA1 BAT17E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAT17-DataSheet-v01_00-EN.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes 4V 130mA
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
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