BAT2402ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BAT2402ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP21, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 0201 (0603 Metric), Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz, Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 4V, Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1, Current - Max: 110 mA, Power Dissipation (Max): 100 mW.
Weitere Produktangebote BAT2402ELSE6327XTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BAT2402ELSE6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BAT2402ELSE6327XTSA1 - BAT24 RF MIXER AND DETECTOR SCHOTTKYtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BAT2402ELSE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Schottky diodes Automotive AEC-Q101 |
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BAT2402ELSE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Schottky diodes |
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BAT2402ELSE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Schottky diodes Automotive AEC-Q101 |
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BAT2402ELSE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP21 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0201 (0603 Metric) Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz Resistance @ If, F: 10Ohm @ 50mA, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 4V Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1 Current - Max: 110 mA Power Dissipation (Max): 100 mW |
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BAT2402ELSE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
PIN Diodes RF DIODES |
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