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BAT68E6327HTSA1

BAT68E6327HTSA1 Infineon Technologies

Infineon_BAT68SERIES_DS_v01_01_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diodes 8V 130mA
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Technische Details BAT68E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: 150°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 8V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Max: 130 mA, Power Dissipation (Max): 150 mW.

Weitere Produktangebote BAT68E6327HTSA1 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.37 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BAT68E6327HTSA1 BAT68E6327HTSA1 Infineon Technologies infineon-bat68series-ds-en.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
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BAT68E6327HTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 10Ohm @ 5mA, 10kHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 8V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 130 mA
Power Dissipation (Max): 150 mW
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