BAV170HMFHT116 ROHM Semiconductor
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| 6+ | 0.52 EUR |
| 10+ | 0.35 EUR |
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| 500+ | 0.14 EUR |
| 1000+ | 0.10 EUR |
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| 6000+ | 0.07 EUR |
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Technische Details BAV170HMFHT116 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BAV170HMFHT116 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 90 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-23, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 3µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 90V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote BAV170HMFHT116
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BAV170HMFHT116 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - BAV170HMFHT116 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 90 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 90V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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BAV170HMFHT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BAV170HMFHT116 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 90 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 90V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAV170HMFHT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BAV170HMFHT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 µs Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC) Supplier Device Package: SSD3 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
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