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BAV199FMT106

BAV199FMT106 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Switching 100V 0.5A 3-Pin UMD T/R
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Technische Details BAV199FMT106 Rohm Semiconductor

Description: LOW-LEAKAGE, 100V, 215MA, SWITCH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 215mA, Supplier Device Package: UMD3, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 75 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BAV199FMT106 BAV199FMT106 Rohm Semiconductor bav199fmt106-e.pdf Diode Switching 100V 0.5A 3-Pin UMD T/R
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BAV199FMT106 BAV199FMT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=BAV199FM&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Small Signal Switching Diodes Low-leakage, 100V, 215mA, Switching Diode
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 215mA
Supplier Device Package: UMD3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 75 V
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